HS3J R7
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | HS3J R7 |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 3 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AB (SMC) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75 ns |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Verpackung / Gehäuse | DO-214AB, SMC |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
50NS, 3A, 400V, HIGH EFFICIENT R
50NS, 3A, 400V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() HS3J R7Taiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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